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ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配备 0.55 NA 镜头，实现 8 纳米分辨率——而当前 Low-NA EUV 工具的分辨率仅为 13 纳米——使得单次曝光下晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。虽然 Low-NA 工具可以通过昂贵的多重图形匹配来达到这一效果，但 High-NA EUV 简化了光刻步骤，尽管这带来了新的技术挑战。
鉴于 High-NA EUV 机器的能力，芯片制造商可以避免双重或三重 EUV 图形匹配，因此 NXE:5200B 将首先用于快速推进下一代 DRAM 的原型设计，这些 DRAM 将使用依赖现有 Low-NA EUV 和 DUV 工具的工艺技术制造。只有到那时，该工具才会用于开发实际需要 High-NA EUV 设备才能获得良好产率和循环时间的制造工艺。ASML 在一次面向投资者的演示中估计，DRAM 制造商将在 2030 年代过渡到 High-NA EUV 工具。
快速原型制作大大加快了下一代工艺技术的开发速度。高 NA EUV 设备能够比现有的低 NA EUV 工具更快地详细原型制作 DRAM 结构（例如，电容器沟槽、位线、字线），这为 SK hynix 的研发提供了关键推动力。
从长远来看（到 2030 年代），SK hynix 可以使用该工具测试图形极限，开发新的布局，并评估它将在需要使用高 NA EUV 工具的制造节点中需要的材料，远远早于需要承诺全面基于高 NA EUV 的生产。
SK hynix 和 ASML 于周三早些时候宣布，他们在韩国伊川的公司 M16 工厂组装了业界首款 Twinscan NXE:5200B 高数值孔径 EUV 光刻系统。该设备最初将作为下一代工艺技术的开发工具，但几年后它将用于采用尖端工艺技术的 DRAM 大规模生产。
对于 SK hynix 来说，组装业界首批 Twinscan NXE:5200B EUV 系统（配备 0.55 数值孔径光学系统）意味着它超越了其主要竞争对手美光和三星，以及半导体行业绝大多数公司，这些公司中许多仍然必须采用现有的 0.33 数值孔径 EUV 系统。
“我们预计，关键基础设施的添加将使我们所追求的技术愿景变为现实，”SK hynix 研发负责人 Cha Seon Yong 表示。“我们旨在借助快速发展的 AI 和下一代计算市场所需的尖端技术，增强我们在 AI 存储领域的领导地位。”
ASML 在客户现场（在此案例中为 SK hynix 的 M16，确实是一个大规模量产工厂）组装其首台 Twinscan NXE:5200B 机器，标志着该公司的一个里程碑，因为此前它曾在俄勒冈州希尔兹伯勒附近的英特尔 D1X 开发工厂建造了 Twinscan NXE:5000 机器 ，在那里他们 已经生产了数万片晶圆 。NXE:5000 系统被认为是预生产系统，但可以升级以获得高容量制造所需的性能。
"高 NA EUV 是一项关键技术，它开启了半导体产业的下一章，”ASML 客户团队负责人金丙灿表示。“ASML 将密切与 SK hynix 合作，推动下一代内存的创新。”
